Modificare da BIOS i valori di fabbrica dei moduli RAM possono portare ad un sistema instabile o alla rottura dei moduli stessi, ma possono anche migliorare le prestazioni generali del computer. Qui di seguito si descriveranno le varie opzioni presenti nel BIOS per modificare l'efficienza della RAM e per conoscere meglio il funzionamento di questa parte Hardware del computer, troppo spessa limitata esclusivamente ad un mero numero: 256 MB, 512 MB, 1 GB, etc.. Se si desiderera poi apportare delle modifiche alle impostazioni di fabbrica, queste dovranno esser fatte a ragion veduta ed a proprio rischio e pericolo.

Timing della RAM

Ogni modulo di memoria SDRAM e DDR include un chip Serial Presence Detect (SPD), nel quale sono immagazzinate le impostazioni dei valori dei timing di memoria. I produttori di RAM specificano valori SPD progettati per garantire una sicura stabilita' durante le operazioni. Entro certi limiti, aumentando questi valori e' possibile migliorare le prestazioni generali del computer.

Per modificare il timing occorre entrare nel bios del computer. L'opzione pertinente ha diversi nomi, a seconda della scheda madre e della versione del BIOS, ma sara' comunque simile a "System Performance", "Memory Timings", o "Configure DRAM Timing".

Normalmente il valore di default di questa opzione e' "By SPD". Questa istruisce il computer a leggere i timings raccomandati sul modulo di memoria, e automaticamente utilizza questi valori per l'accesso di memoria.
Il valore alternativo "Enabled" e' altrettanto improbabile che causi problemi al computer.

Se si vuole modificare questo valore per velocizzare il sistema, si deve impostare la voce sul valore "Disabled" o "User Defined" per poi impostate i parametri manualmente, come descritto piu' avanti.

Le voci da vedere successivamente per impostare i parametri manualmente sono essenzialmente:
SDRAM RAS-Precharge Time
SDRAM RAS to CAS Delay
SDRAM Active to Precharge

Valore del Ritardo RAS-to-CAS

La RAM puo' essere raffigurata come una tabella bidimensionale. L'accesso ai dati richiede prima l'identificazione di una riga utilizzando un segnale chiamato Row Address Strobe (RAS) e poi una colonna utilizzata dal Column Address Strobe (CAS), per identificare una locazione di memoria specifica.
Una pausa e' richiesta tra il segnale RAS e il segnale CAS, per essere sicuri che la memoria sia stata correttamente indirizzata. Questo ritardo RAS-to-CAS consuma normalmente due o piu' cicli di clock.

Il valore per "SDRAM RAS to CAS Delay" specifica esattamente quanti cicli di clock devono trascorrere tra l'invio del segnale RAS e il successivo segnale CAS.
Le impostazioni possibili sono normalmente da 2 a 5, dove 2 e' il piu' veloce.
Si puo' tentare di migliorarne le prestazioni, provando a ridurre di un ciclo alla volta questo valore e testate la stabilita' del sistema ad ogni cambiamento. Migliore e' il modulo RAM, minore sara' il valore che il sistema utilizzera' per lavorare in modo corretto.

Il tempo di latenza

Quando l'accesso di memoria e' in corso, deve intercorrere un particolare periodo tra uno specifico indirizzo di memoria e l'accesso ai suoi contenuti; questa e' chiamata latenza.

Questo intervallo per la cella di memoria puo' essere impostato a 2T per due cicli di clock, 3T per tre cicli di clock e cosi' via.
Un valore piu' piccolo per il "SDRAM CAS Latency" significa prestazioni migliori; ovviamente valori piu' alti significano prestazioni peggiori.

I valori sicuri e corretti per il "SDRAM CAS Latency" sono abitualmente stampati su un'etichetta o incisi direttamente sul modulo di memoria.

I valori tipici per i moduli RAM a basso costo sono 3T o 2.5T.

Per migliorarne le prestazioni, e' possibile provare a cambiare questi parametri a 2.5T o persino 2T, per poi testate il proprio sistema per verificarne la stabilita'. Alcuni produttori di memoria affermano che memorie capaci di arrivare a 2T possono lavorare anche a velocita' di clock piu' elevate. Se i valori minori delle latenze hanno successo, e' possibile anche provare ad aumentare la frequenza della memoria incrementando il valore dell'opzione "Memory Frequency".

E' consigliabile effettuare un solo cambiamento alla volta; questo aiutera' a tornare al valore corretto se si presentera' qualche instabilita' nel sistema.

Ridurre il Tempo di Carico della Memoria

Con le impostazioni corrette, la cella di memoria acquisisce la carica elettrica di cui ha bisogno per operare velocemente.

Il valore presente nell'opzione "SDRAM RAS Precharge Delay" indica l'intervallo in cicli di clock tra quando il livello di carica e' applicato a quando il segnale RAS e' stato inviato.

I valori piu' piccoli, come "2", impostano un tempo piu' veloce rispetto a valori piu' alti; i valori elevati assicurano pero' una maggiore stabilita' del sistema.

Per tentare di migliorare il sistema, provare a diminuire il numero di cicli di clock uno alla volta e testare la stabilita' del sistema dopo ognuno di questi cambiamenti.

Accorciare il Ritardo per il successivo accesso alla Memoria

L'opzione "SDRAM Active Precharge Delay" indica il ritardo tra un accesso alla memoria ed il successivo; quindi riducendolo e' possibile aumentare la velocita' dell'accesso.

Una regola pratica per questo valore e': Active Precharge Delay = CAS Latency + RAS Precharge Delay + 2 (aggiunta per avere un margine di sicurezza). Con gli altri valori sperimentali, ridurre questo numero di un ciclo di clock alla volta per determinare se funzionano valori piu' veloci, come spesso accade in questo caso.

Se compaiono problemi di stabilita', aumentare questi valori di uno alla volta.

Valori del Timing

I valori raccomandati per le impostazioni sono spesso disponibili sui moduli di memoria stessi, ed hanno un formato simile al seguente: 2.5-4-4-8.

L'insieme di valori "2.5-4-4-8" e' specificato in cicli per clock, e significa che il CAS Latency e' pari a 2.5, da RAS a CAS Delay e' 4 cicli, il RAS Precharge Delay e' 4 cicli, e l'Active Precharge Delay e' 8 cicli.

Questi rappresentano i valori delle impostazioni che il produttore raccomanda per valori di frequenza specifici. Valori minori possono andare bene, ma c'e' il rischio di un crash del sistema. Per migliorare le prestazioni, e' possibile provare a ridurre questi valori uno alla volta per testare la risposta del sistema.

Livelli delle Tensioni di Ingresso delle RAM

Quando la RAM lavora piu' velocemente, necessita' di maggiore alimentazione. Cosi' si dovra' aumentare la tensione di ingresso in funzione dell'aumento della velocita' di clock.

L'opzione "DDR Reference Voltage" permette ai livelli di tensione di essere innalzati tramite incrementi di 0.1 volt. Incrementare questi valori ha senso solamente quando si e' ridotto uno o piu' timings o si e' incrementata la frequenza del clock di memoria, o quando si manifestano problemi di stabilita'.

Attenzione: Impostare livelli di tensione di ingresso elevati puo' danneggiare il modulo di memoria.